型号:RMC-01-01
将等离子抛光液中回收液中释出的金属，然后再生抛光液，循环再用。
功率电子技术是利用功率半导体器件对电能进行变换、控制、开关的技术。现代功率半导体器件的主要特点是容量大、开关速度快，可以达到电流、高电压和高频率。
20世纪80年代GTO发展到了10000A8000V,高频GTO工作频率提高了2-3倍，达到3kHz,在相当范围内可取代SCR。同期MOSFE得到飞速发展，在模块的性能上，高电压达到103kHz,其同态电阻可低到2mΩ左右，且易于并联，驱动电流极低，工作稳定、可靠。近年来，IGBT复合器件已日渐成熟，除继承了MOSFET的优点外，其电流容量大为提高。
目前生产水平已达1200A1600V,工作频率达10-30kHz.20世纪90年代功率电子器件继续向提高高频特性、增大容量、提高电压和发展智能化器件方向发展。功率电子技术的应用面正在迅速扩大，在需要以较快的速度开关大的电流的场合，就能得到较好的发挥和应用。20世纪80年代中后期，国内MOSFET以广泛为应用于各种电机控制、驱动和高频开关电源，其频率可大于102kHz。20世纪90年代IGBT应用领域正在扩大，在中频交流变频器、伺服驱动和大功率中频开关电源等方面均获得了广泛应用。
二 功率MOSFET的适应性分析
1，容量及频段
2，性
3，自身损耗
4，并联特性
5，耐压特性
6，可靠性
由于大电流、较高频的电加工脉冲电源正处在发展阶段，因此，加强基础技术的研究，从功率电子学理论和功率脉冲技术两方面进一步探求和解决大电流关断的特殊规律和特殊问题。
