SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，
，高仅约100V，以致于限制了其应用范围。
像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件
的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、
RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，
只有使用恢复外延二极管(FRED)和超恢复二极管(UFRD)。
UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，
根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的SMPS需要。
即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，
壳温很高，大功率需用较大的散热器，从而使逆变器体积和重量增加，
不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，VB
一直是日照人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，
150V和 200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，
从而为力神电子注入了新的生机与活力。
